PCIM 기조연설
상하이, 2025년 9월 25일—오늘 오전 11시 40분, 상하이 신국제박람센터 N4홀에서 열린 PCIM Asia 2025 기술 포럼에서 상하이 YMIN Electronics Co., Ltd.의 부사장인 장칭타오 씨가 "새로운 3세대 반도체 솔루션에서의 커패시터의 혁신적 응용"이라는 제목의 기조연설을 했습니다.
이 연설은 고주파, 고전압, 고온과 같은 극한의 작동 조건에서 실리콘 카바이드(SiC)와 질화갈륨(GaN)과 같은 3세대 반도체 기술이 커패시터에 제기하는 새로운 과제에 초점을 맞추었습니다. YMIN 커패시터의 높은 정전용량 밀도, 낮은 ESR, 긴 수명, 높은 신뢰성을 달성하는 데 있어 획기적인 기술적 성과와 실제 사례를 체계적으로 소개했습니다.
핵심 포인트
신에너지 자동차, 태양광 에너지 저장 장치, AI 서버, 산업용 전원 공급 장치 등 다양한 분야에서 SiC 및 GaN 소자가 빠르게 채택됨에 따라, 커패시터 지원 성능 요건이 점점 더 엄격해지고 있습니다. 커패시터는 더 이상 단순한 보조 역할을 넘어, 시스템의 안정성, 효율성, 그리고 수명을 결정하는 핵심 "엔진"이 되었습니다. YMIN은 소재 혁신, 구조 최적화, 그리고 공정 개선을 통해 용량, 용량, 온도, 그리고 신뢰성의 네 가지 측면에서 커패시터의 포괄적인 개선을 달성했습니다. 이는 3세대 반도체 애플리케이션의 효율적인 구현에 필수적인 요소가 되었습니다.
기술적 과제
1. AI 서버 전원 공급 솔루션 · Navitas GaN과 협력. 과제: 고주파 스위칭(>100kHz), 높은 리플 전류(>6A), 고온 환경(>75°C). 솔루션:IDC3 시리즈저ESR 전해 커패시터, ESR ≤ 95mΩ, 105°C에서 12,000시간 수명. 결과: 전체 크기 60% 감소, 효율 1~2% 향상, 온도 10°C 감소.
2. NVIDIA AI 서버 GB300-BBU 백업 전원 공급 장치 · 일본 무사시 교체. 과제: 갑작스러운 GPU 전력 급증, 밀리초 단위 응답 속도, 고온 환경에서의 수명 저하. 해결책:LIC 사각 슈퍼커패시터, 내부 저항 <1mΩ, 100만 사이클, 10분 고속 충전. 결과: 크기 50~70% 감소, 무게 50~60% 감소, 최대 15~21kW 출력 지원.
3. 인피니언 GaN MOS480W 레일 전원 공급 장치, 일본산 루비콘 대체. 과제: -40°C ~ 105°C의 넓은 작동 온도 범위, 고주파 리플 전류 서지. 해결책: 초저온 열화율 <10%, 7.8A의 리플 전류 내성. 결과: -40°C 저온 시동 및 고온-저온 사이클 테스트를 100% 통과하여 철도 산업의 10년 이상 수명 요건을 충족했습니다.
4. 신에너지 자동차DC-링크 커패시터· ON Semiconductor의 300kW 모터 컨트롤러와 호환됩니다. 과제: 스위칭 주파수 > 20kHz, dV/dt > 50V/ns, 주변 온도 > 105°C. 해결책: ESL < 3.5nH, 125°C에서 수명 > 10,000시간, 단위 부피당 용량 30% 증가. 결과: 전체 효율 > 98.5%, 전력 밀도 45kW/L 초과, 배터리 수명 약 5% 증가. 5. GigaDevice 3.5kW 충전 파일 솔루션. YMIN은 심층적인 지원을 제공합니다.
과제: PFC 스위칭 주파수는 70kHz, LLC 스위칭 주파수는 94kHz-300kHz, 입력 측 리플 전류 서지가 17A 이상으로 급증하고 코어 온도 상승이 수명에 심각한 영향을 미칩니다.
솔루션: ESR/ESL을 줄이기 위해 다중 탭 병렬 구조를 사용합니다. GD32G553 MCU 및 GaNSafe/GeneSiC 소자와 결합하여 137W/in³의 전력 밀도를 달성합니다.
결과: 시스템 최대 효율은 96.2%, PF는 0.999, THD는 2.7%로 전기자동차 충전소의 높은 신뢰성과 10~20년 수명 요구 사항을 충족합니다.
결론
3세대 반도체의 최첨단 응용 분야에 관심이 있고 커패시터 혁신을 통해 시스템 성능을 개선하고 국제 브랜드를 대체할 수 있는 방법을 알고 싶으시다면, 자세한 기술 토론을 위해 홀 N5의 C56에 있는 YMIN 부스를 방문하세요!
게시 시간: 2025년 9월 26일