YMIN 박막 커패시터는 Infineon의 CoolSiC™ MOSFET G2를 완벽하게 보완합니다.
Infineon의 차세대 실리콘 카바이드 CoolSiC™ MOSFET G2는 전력 관리 분야의 혁신을 선도하고 있습니다. 낮은 ESR 설계, 높은 정격 전압, 낮은 누설 전류, 높은 온도 안정성 및 높은 용량 밀도를 갖춘 YMIN 박막 커패시터는 이 제품에 대한 강력한 지원을 제공하여 고효율, 고성능 및 높은 신뢰성을 달성하는 데 도움을 줍니다. 전자 장치의 전력 변환을 위한 새로운 솔루션입니다.
YMIN의 특징 및 장점박막 커패시터
낮은 ESR:
YMIN 박막 커패시터의 낮은 ESR 설계는 전원 공급 장치의 고주파 잡음을 효과적으로 처리하여 CoolSiC™ MOSFET G2의 낮은 스위칭 손실을 보완합니다.
높은 정격 전압 및 낮은 누설:
YMIN 박막 커패시터의 높은 정격 전압과 낮은 누설 전류 특성은 CoolSiC™ MOSFET G2의 고온 안정성을 향상시켜 열악한 환경에서 시스템 안정성을 강력하게 지원합니다.
고온 안정성:
CoolSiC™ MOSFET G2의 탁월한 열 관리 기능과 결합된 YMIN 박막 커패시터의 높은 온도 안정성은 시스템 신뢰성과 안정성을 더욱 향상시킵니다.
고용량 밀도:
박막 커패시터의 고용량 밀도는 시스템 설계에 더 큰 유연성과 공간 활용성을 제공합니다.
결론
Infineon CoolSiC™ MOSFET G2의 이상적인 파트너인 YMIN 박막 커패시터는 큰 잠재력을 보여줍니다. 이 두 가지를 결합하면 시스템 안정성과 성능이 향상되어 전자 장치에 대한 지원이 향상됩니다.
게시 시간: 2024년 5월 27일